Transistor Hexfet Irfb23n15d To-220

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Art.-Nr.:
Q85338
Hersteller-Nr.:
IRFB23N15DPBF
EAN:
2050000042157

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRFB23N15DPBF, International Rectifier, IRFB23N15DPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRFB23N15DPBF
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
23 A
Ptot:
3.8 W
R(DS)(on):
90 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
14 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
5.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
56 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
150 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
RDS(on):
0.09 Ω

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