Transistor Hexfet Irf630n To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85159
Hersteller-Nr.:
IRF630N
EAN:
2050000041129

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF630N, International Rectifier, IRF630NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF630N
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
9.3 A
Ptot:
82 W
R(DS)(on):
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
5.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
575 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
Rth max.:
1.83 °C/W
RDS(on):
0.3 Ω

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