MOSFET Infineon Technologies IRF530N 1 N-Kanal 3.8W TO-263-3

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Art.-Nr.:
Q85197
Hersteller-Nr.:
IRF530N
EAN:
2050000041020

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF530N, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF530N
Gehäuse:
TO-263-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
17 A
U:
100 V
Ptot:
3.8 W
R(DS)(on):
90 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
37 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
920 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
Rth max.:
1.9 °C/W
RDS(on):
0.11 Ω

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