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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB 1 NPN

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Stichwörter

ON Semiconductor, BD809, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q38177
Hersteller-Nr.:
BD809
EAN:
2050000038181

Technische Daten

Typ:
BD809
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
ON Semiconductor
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
80 V
VCE Sättigung (max.):
1.1 V
Kollektor Reststrom I(CES):
1 mA
Ptot:
90 W
DC Stromverstärkung (hFE):
15
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
2 V
Transitfrequenz f(T):
1.5 MHz
Montageart:
Durchführungsloch
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret

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