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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBTA42 SOT-23-3 1 NPN

Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBTA42 SOT-23-3 1 NPN
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret SMBTA42 SOT-23-3 1 NPN
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Produktdaten

Beschreibung

NPN-Hochvolt-Transistor (8 mm-Gurt).

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, SMBTA42, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q32075
Hersteller-Nr.:
SMBTA42
EAN:
2050000024894

Technische Daten

Typ:
SMBTA42
Gehäuse:
SOT-23-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
300 V
VCE Sättigung (max.):
500 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Ptot:
360 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
40
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
30 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
10 V
Transitfrequenz f(T):
70 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
Marke:
Infineon Technologies

Vom Hersteller bereitgestellte Informationen

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