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Infineon Technologies BUZ30A MOSFET 1 N-Kanal 125W TO-220-3

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Art.-Nr.: Q32386
Hersteller-Nr.: BUZ30A
EAN: 2050000023552

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker.

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, BUZ30A, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BUZ30A
Gehäuse:
TO-220-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
21 A
U:
200 V
Ptot:
125 W
R(DS)(on):
130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
13.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
C(ISS):
1900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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