Transistor Small-Sign Bsp295 Sot223 Inf

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Art.-Nr.:
Q32529
Hersteller-Nr.:
BSP295
EAN:
2050000021732

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSP295, BSP295, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor, unipolar transistor, field-effect transistor, MOSFET, mos-fet, metal oxide semiconductor, transistor MOS, transistor à effet de champ, unipolartransistor, gate, drain, source

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-261-4
Ausführung: N-Kanal
Serie: SIPMOS®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: BSP295
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 368 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 1.8 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1.8 W
Q(G): 17 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 1.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 400 µA
U(DSS): 60 V
U(GS)(th) max.: 1.8 V
U: 60 V
RoHS-konform: Ja

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