Infineon Technologies MOSFET BSP295 1 N-Kanal 1.8W TO-261-4

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Art.-Nr.:
Q32529
Hersteller-Nr.:
BSP295
EAN:
2050000021732

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Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSP295, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSP295
Gehäuse:
TO-261-4
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
1.8 A
U:
60 V
Ptot:
1.8 W
R(DS)(on):
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
400 µA
Q(G):
17 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
368 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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