Transistor Mos-Tetrode Bf999 Sot 23 Inf

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5 Stück
Art.-Nr.:
Q32715
Hersteller-Nr.:
BF999
EAN:
2050000020407

Produktdaten

Beschreibung

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, BF999, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BF999
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
30 mA
U:
20 V
Ptot:
200 mW
U(GS)(th) max.:
12 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
10 mA
C(ISS):
2.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
U(DSS):
20 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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