Infineon Technologies MOSFET BF998 1 N-Kanal 200mW TO-253-4

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5 Stück
Art.-Nr.:
Q32750
Hersteller-Nr.:
BF998
EAN:
2050000020315

Produktdaten

Beschreibung

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, BF998, BF998INCT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BF998
Gehäuse:
TO-253-4
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
30 mA
U:
12 V
Ptot:
200 mW
U(GS)(th) max.:
12 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
10 mA
C(ISS):
2.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
8 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
U(DSS):
12 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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