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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 1 NPN - Darlington

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Produktdaten

Beschreibung

NPN-Darlington-Transistor (12 mm-Gurt).

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, BCV29, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)
Art.-Nr.:
Q35010
Hersteller-Nr.:
BCV29
EAN:
2050000019692

Technische Daten

Typ:
BCV29
Gehäuse:
SOT-89
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - Darlington
IC:
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
30 V
VCE Sättigung (max.):
1 V
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Ptot:
1 W
DC Stromverstärkung (hFE):
20000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
150 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
Marke:
Infineon Technologies
Produkt-Art:
Transistor (BJT) - diskret

Vom Hersteller bereitgestellte Informationen

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