Transistor Small-Sign Bss139 Sot23 Inf

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Art.-Nr.:
Q35019
Hersteller-Nr.:
BSS139
EAN:
2050000019623
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Infineon Technologies, BSS139, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSS139
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
100 mA
U:
250 V
Ptot:
360 mW
R(DS)(on):
14 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
0.1 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
56 µA
Q(G):
3.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
5 V
C(ISS):
76 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Serie:
SIPMOS®
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Deleption Mode
U(DSS):
250 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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