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Infineon Technologies MOSFET BSS123NH 1 N-Kanal 500mW TO-236-3

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Art.-Nr.: Q35075
Hersteller-Nr.: BSS123NH
EAN: 2050000019296

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSS123NH, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

Technische Daten

Typ:
BSS123NH
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
190 mA
U:
100 V
Ptot:
500 mW
R(DS)(on):
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
190 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
13 µA
Q(G):
0.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
20.9 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
OptiMOS™
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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