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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3055G TO-3 1 NPN

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Art.-Nr.: Q39797
EAN: 2050000012440
Hersteller-Nr.: 2N3055G

Produktdaten

Beschreibung

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Hinweise:
Hinweis:Hersteller SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

ON Semiconductor, 2N3055G, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
2N3055G
Gehäuse:
TO-3
Hersteller:
ON Semiconductor
Herst.-Abk.:
OnS
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
15 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
60 V
VCE Sättigung (max.):
3 V
Kollektor Reststrom I(CES):
700 µA
Ptot:
115 W
DC Stromverstärkung (hFE):
20
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
4 V
Montageart:
Gehäuse
Marke:
ON Semiconductor

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