Transistor 2 N 7002 Geg Smd Nxp

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Mindestbestellmenge:
10 Stück
Art.-Nr.:
Q39778
Hersteller-Nr.:
2N7002GEG-HSMD
EAN:
2050000012402

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

NXP Semiconductors, 2N7002GEG-HSMD, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
2N7002GEG-HSMD
Gehäuse:
SOT-23
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
300 mA
U:
60 V
Ptot:
0.83 W
R(DS)(on):
5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
500 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
3 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
C(ISS):
40 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
10 V
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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