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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE3055TG TO-220AB 1 NPN

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Art.-Nr.: Q37013
EAN: 2050000012082
Hersteller-Nr.: MJE3055TG

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

ON Semiconductor, MJE3055TG, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

Downloads
Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
MJE3055TG
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
ON Semiconductor
Herst.-Abk.:
OnS
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
60 V
VCE Sättigung (max.):
8 V
Kollektor Reststrom I(CES):
700 µA
Ptot:
75 W
DC Stromverstärkung (hFE):
20
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
4 V
Transitfrequenz f(T):
2 MHz
Montageart:
Durchführungsloch
Marke:
ON Semiconductor

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