Micron 3500 - SSD - 512 GB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

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  • Produktbeschreibung

    Überblick

    Interne Datenrate von 7000 MBps für schnellen Zugriff und schnelle Übertragung
    Funktionen wie dynamische Schreibbeschleunigung und TRIM-Unterstützung verbessern die Leistung
    Datenschutz bei Stromausfall sichert die Datenintegrität
    Entwickelt für den Betrieb bei Temperaturen von 0°C bis 70°C
    Konform mit verschiedenen internationalen Standards für Zuverlässigkeit

    Beschreibung

    Das Host Controlled Thermal Management (HCTM) sorgt für die Aufrechterhaltung optimaler Betriebstemperaturen und damit für bessere Leistung und Haltbarkeit. Data at Rest Protection sorgt dafür, dass sensible Informationen auch bei einem Stromausfall sicher bleiben. Statische und dynamische Verschleißausgleichstechniken verlängern die Lebensdauer des Laufwerks durch gleichmäßige Verteilung der Schreib- und Löschzyklen. Mit einer nicht wiederherstellbaren Fehlerrate von 1 pro 1015 ist dieses Laufwerk für minimalen Datenverlust und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt. Die 3D-Triple-Level-Cell (TLC)-NAND-Flash-Speichertechnologie bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung und Speicherdichte.

    Eigenschaften

    Micron 3500 - SSD - 512 GB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Typ : Solid State Drive - intern
    Kapazität : 512 GB
    NAND-Flash-Speichertyp : 3D triple-level cell (TLC)
    Formfaktor : M.2 2280
    Schnittstelle : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
    Merkmale : TCG Pyrite 2.02, NVM Express (NVMe) 2.0c, dynamische Schreibbeschleunigung, Host Controlled Thermal Management (HCTM), Datenschutz bei Stromausfall, Data at Rest Protection, TRIM-Unterstützung, RAIN-Technologie, Secure Boot, Digitally Signed Firmware, Geräte-Selbsttest, statisches Wear-Leveling, Dynamic Wear Leveling, aufrüstbare Firmware, S.M.A.R.T.
    Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22 mm x 80 mm x 2.3 mm
    Gewicht : 10 g

    Stichwörter

    MICRON, TECHNOLOGY, 3500, -, SSD

    Micron 3500 - SSD - 512 GB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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