Vishay MOSFET SI4431BDY-T1-E3 1 P-Kanal 1.5 W SOIC-8

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S04229
Hersteller-Nr.:
SI4431BDY-T1-E3
EAN:
2050003223935
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Vishay, SI4431BDY-T1-E3, SI4431BDY-T1-E3CT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Vishay
Kanäle: 1
Marke: Vishay
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: SOIC-8
Ausführung: P-Kanal
Serie: TrenchFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: VIS
Typ: SI4431BDY-T1-E3
Montageart: Oberflächenmontage
I(d): 5.7 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1.5 W
Q(G): 20 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 5 V
R(DS)(on): 30 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 7.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 30 V
U(GS)(th) max.: 3 V
U: 30 V
RoHS-konform: Ja

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