DIODES Incorporated MOSFET MMBF170-7-F 1 N-Kanal 300 mW SOT-23-3

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DIODES Incorporated MOSFET BSS138TA 1 N-Kanal 300 mW SOT-23-3 DIODES Incorporated 0,69 0,68 0,66 0,65
DIODES Incorporated MOSFET BSS138W-7-F 1 N-Kanal 200 mW SC-70-3 DIODES Incorporated 0,58 0,57 0,56 0,54
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DIODES Incorporated MOSFET ZVN4206A 1 N-Kanal 700 mW TO-92-3 DIODES Incorporated 0,71 0,71 0,71 0,71
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S82370
Hersteller-Nr.:
MMBF170-7-F
EAN:
2050003198226
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DIODES Incorporated, MMBF170-7-F, MMBF170-FDICT-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: DIODES Incorporated
Kanäle: 1
Marke: DIODES Incorporated
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: SOT-23-3
Ausführung: N-Kanal
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: DIn
Typ: MMBF170-7-F
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 40 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V
I(d): 500 mA
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 300 mW
R(DS)(on): 5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom: 200 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 60 V
U(GS)(th) max.: 3 V
U: 60 V
RoHS-konform: Ja

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