DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC856B-7-F SOT-23-3 1 PNP

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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC846B-7-F SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,34 0,30 0,26 0,23
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC847A-7-F SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,33 0,29 0,26 0,23
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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays BC847BS-7-F SOT-363 2 NPN DIODES Incorporated 0,54 0,49 0,45 0,41
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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BC856B-7-F SOT-23-3 1 PNP (aktuelles Produkt) DIODES Incorporated 0,34 0,30 0,26 0,23
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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays BC857BS-7-F SOT-363 2 PNP DIODES Incorporated 0,37 0,36 0,35 0,34
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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret BST39TA SOT-89-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,53 0,51 0,50 0,49
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung DDTA124EUA-7-F SC-70 1 PNP - vorgespann DIODES Incorporated 0,36 0,36 0,36 0,36
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays DMMT5401-7-F SOT-26 2 PNP - abgestimmtes Paar DIODES Incorporated 0,47 0,45 0,44 0,43
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - Arrays DMMT5551-7-F SOT-26 2 NPN - abgestimmtes Paar DIODES Incorporated 0,28 0,28 0,28 0,25
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DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX1053ATA SOT-89-3 1 NPN DIODES Incorporated 1,11 1,01 0,92 0,92
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX491ATA SOT-89-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,71 0,70 0,68 0,67
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX493TA SOT-89-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,71 0,70 0,68 0,67
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX495TA SOT-89-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,71 0,70 0,68 0,67
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX558TA SOT-89-3 1 PNP DIODES Incorporated 0,81 0,80 0,78 0,76
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX705TA SOT-89-3 1 PNP - Darlington DIODES Incorporated 0,76 0,75 0,74 0,73
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FCX790ATA SOT-89-3 1 PNP DIODES Incorporated 0,89 0,88 0,86 0,84
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT38CTA SOT-23-3 1 NPN - Darlington DIODES Incorporated 0,63 0,63 0,63 0,63
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT413TD SOT-23-3 1 NPN - Avalanche DIODES Incorporated 7,53 7,46 7,33 7,27
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT415TD SOT-23-3 1 NPN - Avalanche DIODES Incorporated 11,24 11,12 11,00 10,88
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT449TA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,68 0,67 0,65 0,64
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT451TA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,59 0,58 0,57 0,55
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT458TA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,49 0,48 0,47 0,45
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT459TA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,79 0,78 0,77 0,75
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT489TA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,68 0,68 0,68 0,68
DIODES Incorporated Transistor (BJT) - diskret FMMT491ATA SOT-23-3 1 NPN DIODES Incorporated 0,49 0,48 0,47 0,45
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Art.-Nr.:
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Hersteller-Nr.:
BC856B-7-F
EAN:
2050003196581
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DIODES Incorporated, BC856B-7-F, BC856B-7FDICT-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Technische Daten

Hersteller: DIODES Incorporated
Kanäle: 1
Marke: DIODES Incorporated
Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse: SOT-23-3
Ausführung: PNP
Herst.-Abk.: DIn
Typ: BC856B-7-F
Montageart: Oberflächenmontage
Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -65 V
IC: -100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V
DC Stromverstärkung (hFE): 220
Ptot: 300 mW
Transitfrequenz f(T): 200 MHz
VCE Sättigung (max.): -650 mV
RoHS-konform: Ja

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