MOSFET Infineon Technologies IRFS4115PBF 1 N-Kanal 375 W D2PAK

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IRFS4115PBF
EAN:
2050001541581
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Infineon Technologies, IRFS4115PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: D2PAK
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFS4115PBF
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 5270 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 50 V
I(d): 195 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 375 W
Q(G): 120 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 12.1 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 62 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 150 V
U(GS)(th) max.: 5 V
U: 150 V

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