IXYS MOSFET IXTH6N100D2 1 N-Kanal 300 W TO-247AD

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Hersteller-Nr.:
IXTH6N100D2
EAN:
2050001395559
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IXYS, IXTH6N100D2, depletion-mode-mosfet, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: IXYS
Kanäle: 1
Marke: IXYS
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-247AD
Ausführung: N-Kanal
Transistor-Merkmal: Deleption Mode
Herst.-Abk.: IXY
Typ: IXTH6N100D2
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 2650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 6 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 300 W
Q(G): 95 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 5 V
R(DS)(on): 2.2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom: 3 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 0 V
U(DSS): 1000 V
U: 1000 V
RoHS-konform: Ja

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