Transistor Hexfet Irf7313 So-8 Ir

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Art.-Nr.:
Q85135
Hersteller-Nr.:
IRF7313
EAN:
2050000041402
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Infineon Technologies, IRF7313, International Rectifier, IRF7313PBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: SO-8
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF7313
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 6.5 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 2 W
Q(G): 33 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 30 V
U(GS)(th) max.: 1 V
RoHS-konform: Ja

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